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2002年12月26日(木曜日)

次世代半導体デバイスの量産ラインに最適、24時間連続発生可能な
「超高濃度オゾン連続発生装置 AP-8000型」発売
=濃度90vol%以上、最大毎分100cc、最大供給圧5.5kpa=

岩谷産業株式会社


 岩谷産業株式会社(本社:大阪・東京、社長:牧野明次、資本金200億円)は、このほど、超高濃度オゾンの24時間連続発生を可能にした、次世代半導体デバイスの量産ラインに最適な「超高濃度オゾン連続発生装置(AP-8000型)」を開発、発売します。
 本装置は、当社が独自に開発したツインカラム方式の採用により、これまで難しいとされていた超高濃度オゾンの24時間連続発生を可能にしました。90vol%以上の超高濃度オゾンを毎分100cc、最大供給圧力5.5kPaで利用できます。このことにより様々な手法や材料に対して高品質な酸化プロセスを実現できることになります。
 近年、オゾンは、フッ素ガスに次ぐ強い酸化力を持ち、半導体の酸化膜形成など、いろいろな酸化プロセスに活用できるとして期待されている分野です。しかし、従来の高濃度オゾン発生装置は、一定時間の準備時間が必要なことや利用時間が限られるため、量産ラインに最適な連続発生装置の開発が急がれていました。


超高濃度オゾン発生方式には大別して2方式があります
(1)オゾンを選択的に液化・貯蔵した後、気化させる方式
(2)低濃度オゾンを所定の吸着剤に吸着後、酸素を選択的に脱離、「オゾン濃縮」させ、オ   ゾンのみを発生させる方式があります。

 当社では、この2つのオゾン発生方式を安全性、信頼性などを指標に比較検討した結果、(2)の「濃縮吸着法」を採用しました。
 ただ、30vol%以上の高濃度オゾン(特に超高濃度)は、温度や圧力、紫外線、不純物などにより簡単に自己分解爆発を起こす危険があるため、その取り扱いには特別な注意が必要となります。本装置では、“オゾンは、高濃度オゾン自身による配管等の不働態化処理(オゾンパッシベーション)を行うことで、自己分解を抑止することができる”という当社の発見から、製造・供給系にこの処理を行うと共に、数々の当社独自のノウハウで安全性を確保しています。また、(1)クリーン思想に基づく装置設計、(2)当社独自の金属表面処理技術による不動態化処理、(3)精密な温度・圧力制御等々により、安全かつ安定した超高濃度・高純度オゾンの連続供給を実現しました。


「300ミリウェハプロセス、先端半導体デバイスの開発、製造に」
 オゾン酸化の二大特徴である“低温酸化”と“酸素原子酸化”は、従来技術と比べ極めて欠陥発生が少なく、また膜厚が均一な「良質酸化膜」の形成を可能にします。適用可能分野として1.MRAM用酸化膜、2.極薄MOSシリコンゲート酸化膜、3.TFTポリシリコンゲート酸化膜、4.各種強誘電体膜の酸化/アニール、等々が上げられます。300 ミリウェハ枚葉プロセスに重要な高均一性とクリーン性を実用量産レベルで実現します。


販売目標;初年度3億円、装置価格:2000万円台〜



「超高濃度オゾン連続発生装置(AP-8000型)」の特徴
1.独自のツインカラム方式により、24時間連続発生を実現しました。
2.「濃縮吸着法」により、90vol%以上の高濃度オゾンを毎分100cc、最大供給圧5.5kPaで利用可能なため、様々な酸化プロセスに対応可能です。
3.クリーン思想に基づく装置設計と、独自の金属表面処理技術による不働態化により、ギガビット対応の極めてクリーンな高純度のオゾンを発生します。
4.先進の制御技術の採用により、安全性と容易な操作性を実現しています。
 

「AP-8000型」の主な仕様
・発生オゾン濃度   :95 %、1σ±1%
・オゾン供給圧力   :3.0〜5.5 kPa
・オゾン供給流量   :2 〜 100 cc/分
・オゾン供給時間   :連続供給可能
・安全規格       :SEMI/S2、CEマーキング(取得予定)
 

※ 今回の量産ラインへの適用を目的とした「AP-8000型」に先立ち、研究・開発の適用を目的とした「超高濃度オゾン発生装置(AP-800型)」を開発、商品化しています。「AP-800型」は、オゾン貯蔵量6L、連続供給時間5時間(毎分20cc供給)で、超高濃度オゾン利用が可能です。また、「AP-8000型」と同様に、30〜90vol%までの高濃度オゾンを最大供給流量毎分100cc、最大供給圧力5.5kPaでの利用も可能です。このため、様々な先端デバイスの研究、開発に活用できます。

 

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