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2001年07月27日(金曜日)

高濃度オゾンを利用し、電総研と共同で
極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法を開発

当社と通産省工業技術院電子技術総合研究所は、オゾンの強い酸化力を利用し、350℃という従来にない低温条件で、将来のメモリなど超高密度素子の開発に不可欠な特徴を持つ、シリコン基板上の極薄シリコン酸化膜(厚さ2nm;1nmは百万分の1ミリメートル)の作製に成功しました。作製したシリコン酸化膜は、新しい界面構造(シリコン酸化膜とシリコン基板の急峻な界面構造)を有していることが実験により確認されました。これは当社が開発した高濃度オゾンを大気圧下で発生・供給できる装置を応用することで実現したもので、従来の酸化方法(酸素分子の高温下反応を利用した熱酸化法)では不可能であった、構造遷移層のない(非常に薄い)シリコン酸化膜/シリコン基板構造の作製が可能になりました。この成果 は、将来の超高密度メモリ素子作製に要求されたブレークスルーの実現に展望を開くとともに、システムオンチップなど、高集積化・高機能化を目指したこれからの半導体作製において、新しい酸化膜作製プロセスの開発に大きく貢献するものとして期待されます。

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